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SUP60N02-4m5P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
120
V GS = 10 thr u 5 V
V GS = 4 V
120
100
90
8 0
60
60
T C = 25 °C
40
30
0
V GS = 3 V
20
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
200
160
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = -55 °C
0.010
0.00 8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
120
8 0
40
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.006
0.004
0.002
0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
8 0
100
0.020
0.016
0.012
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
I D = 20 A
7500
6000
4500
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
C iss
0.00 8
0.004
T A = 150 °C
3000
1500
C oss
0
T A = 25 °C
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1 8
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 69821
S-80182-Rev. A, 04-Feb-08
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
3
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